Este documento describe el KVR26S19S8/8 de Value RAM, un módulo de memoria SDRAM (DRAM síncrona) CL19 DDR4-2666 de 1G x 64 bits (8GB), 1Rx8, no ECC, basado en ocho componentes FBGA de 1G x 8 bits. El SPD está programado según la temporización DDR4-2666 de latencia estándar JEDEC de 19-19-19 a 1,2 V. Este DIMM de 260 patillas utiliza dedos de contacto de oro. Las especificaciones eléctricas y mecánicas son las siguientes:
Características:
- Fuente de alimentación: VDD = 1.2V Típico
- VDDQ = 1,2 V típica
- VPP = 2,5 V típica
- VDDSPD = 2,2 V a 3,6 V
- Terminación en el chip (ODT) nominal y dinámica para datos, strobe y máscara
- Autorrecuperación automática de bajo consumo (LPASR)
- Inversión de bus de datos (DBI) para bus de datos
- Generación y calibración VREFDQ en el chip
- Un solo rango
- EEPROM de detección de presencia (SPD) serie I2 integrada
- 16 bancos internos; 4 grupos de 4 bancos cada uno
- Ráfaga fija (BC) de 4 y longitud de ráfaga (BL) de 8 mediante el conjunto de registros de modo (MRS)
- BC4 o BL8 seleccionables sobre la marcha (OTF)
- Topología Fly-by
- Comando de control y bus de dirección terminados
- Placa de circuito impreso: altura 1,18" (30,00 mm)
- Conforme a RoHS y libre de halógenos
Especificaciones:
| CL(IDD) |
19 ciclos |
| Tiempo de ciclo de fila (tRCmin) |
45.75ns(min.) |
| Actualizar a Activo/Refrescar (tRFCmin) |
350ns(min.) |
| Tiempo activo de fila (tRASmin) |
32ns(min.) |
| Potencia máxima de funcionamiento |
TBD W* |
| Clasificación UL |
94 V - 0 |
| Temperatura de funcionamiento |
0 o C a +85 o C |
| Temperatura de almacenamiento |
-55 o C a +100o C |
*La potencia variará en función de la SDRAM utilizada.
